半導體CoPoS封裝技術解決方案

CoPoS 技術促進晶片產能與效能大躍進

隨著AI晶片設計愈加複雜與尺寸不斷增長，晶圓在面積利用率和封裝效率上逐漸受限。CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）技術在 CoWoS –R 的基礎上，將晶圓形狀轉化為方形基板。此變革不僅提高了基板封裝的靈活性，也大幅提升了產能。舉例來說，700 × 700 mm 的方形基板可以達到約 12 吋晶圓 8 倍的封裝量，顯著降低生產成本，同時提升產能與資源利用效率。

此技術的最大優勢在能支援多顆晶片封裝，並且整合不同尺寸的晶片，滿足多樣化的市場需求。CoPoS 技術為 AI 晶片、通訊設施以及高效能運算（HPC）等應用提供了高度靈活、高性價比的封裝解決方案，開啟了先進封裝產業的新篇章。

RDL 技術：實現高密度整合與高速訊號傳輸的核心

先進封裝的高密度整合關鍵在於重佈線層RDL（Redistribution Layer） 技術。作為晶片與基板之間的核心互連層，RDL不僅可重新分佈晶片 I/O 接點、縮短訊號路徑，提供更緊密的電氣連結，並有效提升 AI、5G、HPC 等應用所需的高速、高頻訊號傳輸效率與穩定性；更透過區域性互連，將整合度從傳統 PCB 與載板製程，躍升至薄膜製程以及 2.5D、3D 等高階封裝架構，CoPoS技術能一次性將多顆功能晶片集成於單一元件中，實現更高的系統整合度與效能，成為半導體先進封裝製程中的致勝關鍵。